如今的許多應用環(huán)境，如計算和存儲、通信交換機和路由器以及無線通信，越來越依賴于數(shù)據(jù)處理，為了滿足5G通信下龐大的數(shù)據(jù)體系，進一步推動了5G通信設(shè)備中功率電路的發(fā)展應用。整個電源系統(tǒng)必須具有高能效和高密度，以提供所需的高水平電源性能。
新潔能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開關(guān)特性和導通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面，通過功能性升級與工藝技術(shù)優(yōu)化來降低總體成本。
目前，新潔能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品特征導通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上，具有更低的柵極電阻，可以滿足客戶更高能效更高可靠性的需求，產(chǎn)品的性價比進一步提升。
