因液晶屏本身沒有發(fā)光功能，這就需要在液晶屏后加一個照面系統(tǒng)，該背光照明系統(tǒng)由發(fā)光部件、導光板和背光電源構成。TV背光電源功率一般為100-500W，其作用就是將市電的交流電壓轉換成12V的直流電壓輸出，從而向顯示器供電。由于顯示器內部的主板上還有DC-DC電壓轉換器以獲得8V/5V/3.3V/2.5V電壓，所以電源輸出的12V的直流電壓就能滿足顯示器工作的要求。一般拓撲結構會采用PFC、LLC、SR、Flyback、BOOST+CC/CV拓撲等。

 新一代TV超薄的外形，對背光電源的小型化、輕薄化提出了挑戰(zhàn)。新潔能提供了最豐富的表面貼裝的高壓和低壓MOSFET，具有良好的EMI和出色的熱性能。

PFC: 

SJ-III MOSFET：V_DS=650-700V R_{on@10V（max）}=140mΩ-680mΩ

Flyback：

SJ-III MOSFET：V_DS=650-700V R_{on@10V（max）}=140mΩ-680mΩ

LLC：

SJ-III TF MOSFET：R_{on@10V（max）}=140mΩ-360mΩ

Boost：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : V_DS=30V   R_{on@10V（max）}=1.65mΩ-6.4mΩ

SR：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : V_DS=40V-85V  R_{on@10V（max）}＜10mΩ 封裝形式DFN、TOLL

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : V_DS=85V     R_{on@10V（max）}=3.6-10.2mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : V_DS=100V    R_{on@10V（max）}=3.0-95mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : V_DS=150V    R_{on@10V（max）}=2-65mΩ

小信號mos：

Normal Trench：

P-channel Trench MOSFET：V_DS=-20V  I_d=-0.66A- -9A

P-channel Trench MOSFET：V_DS=-30V  I_d=-2A - -9.1A

N-channel Trench MOSFET：V_DS=20V   I_d=0.5A-8A

N-channel Trench MOSFET：V_DS=30V   I_d=2A-8A