新潔能的設(shè)計(jì)初衷是實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠和最優(yōu)成本效益。全系列Trench和Super Trench MOSFET始終滿足電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中關(guān)鍵規(guī)格的最高質(zhì)量和性能需要，如導(dǎo)通電阻 R_DS(on) 和優(yōu)值(FOM)。

  Super Trench MOSFET系列性能一流，產(chǎn)品特征包括超低R_DS(on), 以及高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用的低Q_g。

  Trench MOSFET系列專為驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，非常適合低開(kāi)關(guān)頻率的設(shè)計(jì)以及需要高載流能力的設(shè)計(jì)。

  目前，新潔能已推出第二代屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET，相比于第一代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上，具有更低的柵極電阻，可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求，產(chǎn)品的性價(jià)比也進(jìn)一步提升。

  配合先進(jìn)的封裝技術(shù)， Super Trench 技術(shù)致力于提升MOSFET 器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。

注：圖中“SGT”表示Super Trench。

       電機(jī)短路試驗(yàn)中，二代Super Trench產(chǎn)品短路性能優(yōu)異。      

單管EAS測(cè)試中，二代Super Trench產(chǎn)品普遍在雪崩耐量方面，比一代產(chǎn)品高出20%。

確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)的抗沖擊耐量，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的運(yùn)行。

       TOLL VS D2PAK的優(yōu)勢(shì)

       TOLL是一種高效節(jié)省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強(qiáng)大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應(yīng)用。能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開(kāi)爾文(Kelvin)連接，這種設(shè)計(jì)可減小封裝中源極線電感的影響，進(jìn)而發(fā)揮MOSFET實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)的性能，并抑制開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的振蕩。它符合現(xiàn)有的JEDEC封裝外形，比目前的D2PAK (TO263)封裝小30%，薄50%。

DFN5*6 Clip VS DPAK的優(yōu)勢(shì)

       DFN5*6 Clip封裝非常適合在移動(dòng)設(shè)備、車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和家用電器中的通用功率敏感型應(yīng)用，與常規(guī)的DPAK封裝相比，在維持相同的電氣性能的同時(shí)，還可節(jié)省多達(dá)80%的PCB占用空間。當(dāng)被安裝在最先進(jìn)的4層PCB電路板上時(shí)，其散熱性能可以與較大的標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝相媲美。由于DFN無(wú)引腳封裝，寄生的阻抗、電感、電容更?。ń档蚏C參數(shù)），更高速更靈敏實(shí)現(xiàn)信號(hào)的切換。

  Trench MOS和Super Trench MOS組合，包括20-250 V MOSFET，可滿足各種需要，從低開(kāi)關(guān)頻率到高開(kāi)關(guān)頻率。下表為針對(duì)每個(gè)主要子應(yīng)用和電壓等級(jí)而推薦的Trench MOS和Super Trench MOS產(chǎn)品的指南概要。