IGBT
通過工藝與器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，新潔能提供高能效的IGBT產(chǎn)品。在導(dǎo)通壓降與開關(guān)損耗之間做出了巧妙權(quán)衡，能夠大幅度提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，該系列產(chǎn)品具備良好穩(wěn)定的短路能力，出色的低電磁干擾特性，可靠的開關(guān)速度控制力，為設(shè)計(jì)人員在系統(tǒng)可靠性方面設(shè)計(jì)提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
目前新一代---第七代微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)IGBT產(chǎn)品采用先進(jìn)的微溝槽技術(shù)大幅提高器件元胞結(jié)構(gòu)密度，還采用了優(yōu)化的載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度背面緩沖層設(shè)計(jì)以及超薄漂移區(qū)工藝技術(shù)，大幅提升器件電流密度，以650V產(chǎn)品為例，產(chǎn)品電流密度可以提升至550A/cm2以上，可以與國際技術(shù)世代產(chǎn)品性能達(dá)到相同水平。器件的飽和壓降和開關(guān)損耗大幅度降低，器件折中特性大幅優(yōu)化，650V滿足中頻IGBT 飽和壓降典型值僅1.35V。此外，該系列產(chǎn)品通過引入多梯度背面緩沖層設(shè)計(jì)，優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。該系列產(chǎn)品全部基于大尺寸IGBT晶圓制造平臺(tái)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了卓越器件電氣特性與參數(shù)高一致性穩(wěn)定性的全面結(jié)合。